半导体制造全流程
半导体制造是一个极其复杂且精密的过程，主要涉及将硅片加工成功能强大的芯片。以下是半导体制造的全流程概述：
1. 硅材料制备
- 硅提纯：
- 使用冶金级硅，进一步提纯为高纯度硅（电子级硅），纯度可达 99.9999999%。
- 单晶硅拉制：
- 通过 Czochralski（CZ）法 或 区熔法，将纯硅制成单晶硅棒。
- 硅棒的直径、掺杂剂类型（N型或P型）及阻值由工艺需求决定。
- 硅晶圆切片和抛光：
- 将单晶硅棒切割成薄片（硅晶圆），通常为300mm或200mm直径。
- 晶圆经过抛光和清洗，形成平整光滑的表面。
2. 光刻与图形定义
- 光刻胶涂布：
- 在晶圆表面均匀涂布一层光敏材料（光刻胶）。
- 光刻曝光：
- 使用光刻机将掩模版（Mask/Reticle）上的电路图形通过紫外光投射到光刻胶上。
- 不同曝光技术包括：深紫外光（DUV）和极紫外光（EUV）。
- 显影：
- 将光刻胶经过显影液处理，去除曝光后或未曝光部分，形成电路图形的模板。
- 图形校准：
- 通过精确对准对每层电路进行叠加，确保电路图形对齐。
3. 蚀刻
- 干法蚀刻：
- 使用等离子体刻蚀设备，选择性移除未被光刻胶保护的材料。
- 精确控制蚀刻深度和侧壁形状。
- 湿法蚀刻：
- 用化学溶液溶解特定区域材料，适合较大特征尺寸的蚀刻。
4. 离子注入与掺杂
- 离子注入：
- 通过加速器将掺杂离子（如磷、硼等）植入硅表面，改变材料的导电性。
- 退火：
- 使用高温退火工艺激活掺杂剂，使其进入晶格位置，并修复离子注入导致的晶体损伤。
5. 薄膜沉积
- 化学气相沉积（CVD）：
- 利用气态化学反应在晶圆表面形成薄膜（如二氧化硅、氮化硅等）。
- 物理气相沉积（PVD）：
- 包括溅射和蒸镀，用于金属膜沉积（如铝、铜等）。
- 原子层沉积（ALD）：
- 用于超薄膜沉积，厚度控制在纳米级。
6. CMP（化学机械抛光）
- 使用化学和机械结合的方法，对晶圆表面进行平坦化处理。
- 确保每一层的图形能够精确叠加。
7. 互连（布线）
- 介电材料沉积：
- 在晶圆上沉积绝缘层，以隔离不同的金属层。
- 金属布线：
- 使用铜或铝作为导线，连接不同的晶体管和电路。
- 通过多层布线技术提升电路复杂度和性能。
- 过孔（Via）制作：
- 在不同金属层之间打通电气连接。
8. 封装与测试
- 晶圆测试：
- 使用探针台测试每个芯片的功能和性能，标记不合格芯片。
- 切割（Dicing）：
- 将晶圆切割成单个芯片（裸片）。
- 芯片封装：
- 将裸片安装在封装基板上，焊接引线或通过倒装芯片技术连接。
- 最终测试：
- 测试封装芯片的功能、电性能和可靠性。
- 出货：
- 合格芯片进入市场。
9. 其他关键技术
- EUV光刻：
- 使用13.5nm波长的极紫外光实现先进工艺节点（如7nm、5nm）。
- FinFET（鳍式场效应晶体管）：
- 3D晶体管架构，提高电流控制能力。
- 先进封装：
- 如2.5D封装和3D堆叠技术，提升芯片性能和密度。
整个半导体制造流程需要极高的精度和洁净度（无尘室环境），并结合光学、材料科学、化学和电子学等多学科技术。
原文地址：https://blog.csdn.net/lonelyxxyo/article/details/144461326
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