TSMC12nm工艺数字IC后端实现难点都有哪些？

大家知道咱们社区近期TSMC 12nm ARM Cortexa-A72(1P9M 6Track Metal Stack)即将开班。这里小编要强调一点:不要认为跑了先进工艺的项目就会很有竞争力！如果你仅仅是跑个先进工艺的flow，不懂先进工艺在数字IC后端实现上的不同点，为何有这样的不同点，针对这些不同之处后端实现阶段如何考虑它们，那么你等于0经验！

新一期TSMC 12nm ananke_core数字后端全流程实现训练营直播课将于12月开班！

所以，小编觉得有必要列举下T12这个工艺后端实现上一些不一样的地方。大家可以针对本文所列的要点进行复盘，如果这些都搞透彻了，你就可以大胆把T12的项目写到你的简历中。初步估计这个T12工艺的A72项目会成为新一年IC秋招的标配项目。

数字IC后端实现 |TSMC 12nm 与TSMC 28nm Metal Stack的区别

1）Memory，模拟IP，子模块，IO必须摆放到Placement Grid(Fin Grid)上 (DPT Aware Floorplan )

所有各个子模块的形状，彼此之间的间距都是有严格的要求。这里面的48nm和96nm值是怎么来的？这些都要搞通透。

2）PPNN Placement and Filler Insertion

T12 6Track工艺引入了6T-Turbo的cell。为何要用这类cell？使用这类cell的优缺点分别是什么？

使用这类6T-Turbo cell时应该如何插filler?这类6T-Turbo cell的density是否有严格的要求？

3）Via Pillar（Via Stapling）

从T12nm开始powerplan就必须使用via pillar。这样打的目的以及整体powerplan结构需要搞清楚。

4）M3 PG结构特殊处理

在12nm这个工艺中标准单元存在比较多的M2 short pin，所以在我们规划powerplan结构和PR flow过程中都需要提前考虑好这个情况。

5）M1&M2 Dual Power Rail

使用Dual Power Rail的目的是什么？对于T12工艺是否可以在powerplan阶段就把M1和M2之间的VIA1打上？为什么？

数字IC后端物理验证PV | TSMC 12nm Calibre Base Layer DRC案例解析

6）模块级io port摆放需要摆放至高层Layer

T12这个工艺的M1-M3属于double pattern layer。在模块级摆放io port时尽量不要使用这些layer！

7）Colorless Placement (与pre-color有何区别？）

什么叫Colorless？它和pre-color有何区别？它们对数字IC后端实现流程有何影响？

CPODE.L.2这条DRC Violation的原因是什么？如何解决？

如何在placement阶段避免VT的min width，min area等DRC Violation?

8）VIA0 Align issue

VIA0是什么？它的作用是什么？VIA0特殊的Align要求，如何变成placement相关约束来guide工具做placement?

9）VT layer aware placement

10）New Routing Rule

T12这个工艺也是支持Preferred和Non-prefered两个方向来完成routing的，但是它对它们的最小线宽和最小线间距提出了更严格的要求。

11）M2 short pin延伸技术

12）MOPO Max Length Violation

13）Double Pattern Routing (G0 Loop Violation)

G0 Loop Violation的本质问题是什么？如何提前规避？Calibre出现G0 DRC Violation后应该如何修复？

14）M2_P48/M3_P48 marker layer generation

为何要有P48这一层？P48这一层应该在什么阶段添加？这层是否需要参与Tapeout?

15）Timing Signoff之SOCV

TSMC12nm timing signoff方式和T28nm 有着比较大的差异，它使用的是SBOCV和SOCV方式。而且还针对cell 和net设置了SOCV的derating。

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