DC-DC与LDO的MOS选型、体积问题、开关频率、DCDC布局
DC-DC、LDO 使用 PMOS 还是 NMOS？
（1）DC-DC
一般用 NMOS：主要原因是 PMOS 的 Rds(on)比较大，意味着 DC-DC 的损耗大，效率低。
对于 PMOS，ID 为空穴电流，NMOS 的 ID 为电子电流，空穴的移动比电子难，这也是 PMOS 导通内阻大的原因。形成空穴沟道比电子沟道更难，所以一般 PMOS 的导通电压比 NMOS 的导通电压高一些。
（2）LDO
一般用 PMOS：由于 LDO 效率比较低，因此一般不会走大电流。针对某些大电流低压差需求的场合，需要使用 NMOS 的LDO。
NMOS，栅极电压比源极高 VGSTH（一般在 0.5V 以上，比如 1.2V）以上才可以导通。同样道理，NPN三极管， 基极电压要比发射极高 0.7V 左右才可以导通。这个栅极基极的驱动电压比较高，要求 Vin 比 Vout 高很多才可以。所以，凡是要求饱和压降小的 LDO，都是 PMOS/PNP 结构。
同等条件下 DC-DC 和 LDO 谁的体积更大？根本原因是什么？
同等条件下，LDO 的体积更大。
由于 LDO 的转换率更低，耗散功率更大，所以发热量更大，因此在设计时会考虑散热问题，所以其体积在其他条件相同时会相对 DC-DC 要大一些。
DC-DC 开关频率多少、开关频率高低的影响、与效率的关系
开关频率和各种特性的关系：
开关频率高，输出纹波小，电感电容值小，但开关损耗大，开关电源效率下降。
① 电感量、输出电容与开关频率成反比，开关频率越大，电感和电容值可减小，节省电路板面积。
② 提高开关电源的开关频率会减小输出的纹波。
③ 开关频率的提升也会提高开关管的开关损耗，造成开关电源效率的下降。
DC-DC 的 PCB 设计布局布线注意事项
① DC-DC 的功率管脚应大面积铺铜皮，减少电源的温升
② 根据载流原则处理好输入输出主回路（注意铺铜的通流能力和过孔的数量）
③ 反馈线不能绕着电感 L 走（干扰）
④ 开关电源芯片及其电感下面尽量不要布其它信号线
⑤ 二极管续流回路尽可能短
⑥ DC-DC 芯片的散热焊盘上需打矩阵过孔作进一步散热处理
⑦ 布局要紧凑，输入输出主干道采用“一”字型或者“L”型布局方式
⑧ 关键滤波电容的放置要合理，采用先大后小的布局原则
⑨ 输出供电电源应从输出电容取电
布局原则
⑨ 输出供电电源应从输出电容取电
⑩ 对于多路输出的开关电源尽量使相邻的电感垂直分布（麦克斯韦定律磁场相互垂直可抵消干扰）
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