焦佩奇的元器件详使用手册
1.阻容
1.1 封装的含义
1.1.1 贴片电阻/电容：
贴片电阻常用封装为0805、0603、0402，这些数字代表的是电阻/电容的长宽，其中0805指的是80mil*50mil，长为80mil，宽为50mil（1mil=0.0254mm≈1/40）。不同封装对应的额定功率、最高工作电压不同，给出常见的9种封装对应的阻容尺寸、额定功率、最高工作电压的表格。
| 封装 (英制) | 封装 (公制) | 尺寸/mil | 尺寸/mm | 额定功率/W | 最高工作 电压/V |
| 0201 | 0603 | 20 X 10 | 0.60±0.05 X 0.30±0.05 | 1/20 | 25 |
| 0402 | 1005 | 40 X 20 | 1.00±0.10 X 0.50±0.10 | 1/16 | 50 |
| 0603 | 1608 | 60 X 30 | 1.60±0.15 X 0.80±0.15 | 1/10 | 50 |
| 0805 | 2012 | 20 X 12 | 2.00±0.20 X 1.25±0.15 | 1/8 | 150 |
| 1206 | 3216 | 32 X 16 | 3.20±0.20 X 1.60±0.15 | 1/4 | 200 |
| 1210 | 3225 | 32 X 25 | 3.20±0.20 X 2.50±0.20 | 1/3 | 200 |
| 1812 | 4532 | 45 X 32 | 4.50±0.20 X 3.20±0.20 | 1/2 | 200 |
| 2010 | 5025 | 50 X 25 | 5.00±0.20 X 2.50±0.20 | 3/4 | 200 |
| 2512 | 6432 | 64 X 32 | 6.40±0.20 X 3.20±0.20 | 1 | 200 |
电容分为无极性电容和有极性电容。无极性电容以0805、0603两类封装最为常见。有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路板，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，又可分为A、B、C、D四个系列，最高工作电压可以根据实际电容的数据手册，最高工作电压列仅供参考。
| 钽电容的类型 | 封装 | 尺寸(mm*mm) | 最高工作电压/V |
| A | 3216 | 3.2 X 1.6 | 10 |
| B | 3528 | 3.5 X 2.8 | 16 |
| C | 6032 | 6.0 X 3.2 | 25 |
| D | 7343 | 7.3 X 4.3 | 35 |
| E | 7845 | 7.8 x 4.5 | 50 |
贴片电容正负极区分：
一种是常见的钽电容，为长方体形状，有“+”或者“▲”标记的一端为正
另外还有一种银色的表贴电容，想来应该是铝电解。 上面为圆形，下面为方形，在光驱电路板上很常见。 这种电容则是有“-”标记的一端为负
电阻与无极性电容一样，常见的封装为0805、0603，不同之处在于电阻可以以排阻的形式出现。国内贴片电阻的命名方法：RS-05K102JT，各字母含义：
R--表示电阻
S--表示功率为标准功率，0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、 1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W
05--表示尺寸/封装，02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512
K--表示温度系数为100ppm
102--是精度为5%的电阻阻值（102=10*10^2=1kΩ）；1002--是精度为1%的电阻阻值表示方法（103=10*10^3=10kΩ）
J--表示精度为5%，F--表示精度为1%
T--表示编带包装
1.1.2 插件电阻/电容：
1.1.3 芯片常见封装
芯片常见封装为：
①TO
1.1.4 插件元器件
1.1.5 其他元器件
拨码开关、晶振：等在市场都可以找到不同规格的贴片封装，其性能价格会根据他们的引脚镀层、标称频率以及段位相关联。
二极管：根据所承受电流的的限度，封装形式大致分为两类，小电流型（如1N4148）封装为1206，大电流型（如IN4007）暂没有具体封装形式，只能给出具体尺寸：5.5 X 3 X 0.5
1.3 常见电阻型号及作用
1.4 常见电容型号及作用
2.二极管
二极管为有极性元件。
2.1 发光二极管LED
发光二极管的发光颜色有红、黄、绿、蓝之分，亮度分普亮、高亮、超亮三个等级，常用的封装形式有三类：0805、1206、1210以及插件。发光二极管有正负极之分。
2.2 瞬态抑制二极管/TVS管
https://blog.csdn.net/wcat_pig/article/details/126693035
2.1.1 TVS管在电路中的作用
2.1.2 TVS管的选型常用参数
2.1.3 TVS管的常见型号
2.3
3. 三极管BJT
4. 场效应管MOSFET
4.1 N沟道MOS管
N-MOS管采用的是正逻辑，当Vgs>0，即G点电压大于S点电压，管子就会导通，D点电压就会传到S点。当VDS的电压增大，ID就会增大。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
5. LDO线性稳压器
5.1 LDO的原理及作用
5.2 LDO的常见型号
6.DC-DC模块
6.1 电路模型
6.1.1 升压BUCK电路
6.1.2 BUCK电路
6.2 DC-DC模块的选型常用参数
7.运算放大器
7.1 运算放大器的常见电路
7.1.1 加法器
7.1.2 减法器
7.1.3 差分放大器
8.
原文地址：https://blog.csdn.net/weixin_58364194/article/details/144755289
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