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数字IC后端实现之Innovus Place跑完density爆涨案例分析

下图所示为咱们社区a7core后端训练营学员的floorplan。

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数字IC后端实现 | Innovus各个阶段常用命令汇总

该学员跑placement前density是59.467%,但跑完place后density飙升到87.68%。

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仔细查看place过程中的log就可以发现Density一路飙升!
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数字IC后端物理验证PV | TSMC 12nm Calibre Base Layer DRC案例解析

另外附上reg2mem的一条timing path。

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【数字IC后端问题讨论】

1)欢迎大家谈谈自己遇到这种case,你会从哪些方面分析?

2)当前floorplan需要改进的地方有哪几个?

3)基于当前floorplan实现的结果容易有哪些问题?


原文地址:https://blog.csdn.net/weixin_37584728/article/details/143440226

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