W25QXX系列W25Q64介绍
前言
W25Q64是一个8MByte大小的非易失性存储器，使用的是SPI协议，本文将全面介绍W25Q64的特性、工作原理以及注意事项
SPI详解见：https://blog.csdn.net/qq_53922901/article/details/137142038?spm=1001.2014.3001.5501
介绍W25Q系列
注意：使用W25Q256时，使用3字节地址不够W25Q256全部覆盖，所以想完全利用W25Q256时就需要使用4字节地址
双重SPI就是在一个时钟又收数据又发数据MISO、M0SI同时兼具接收和收发，所以相当于时钟频率翻了一倍。
硬件电路
四重SPI（了解）
WP（写保护）、HOLD（数据保持）与MISO、MOSI四个引脚同时进行输入输出，相当于4位并行传输。
框图
这个W25Q64内存为64MBit，也就是8MByte，对这8MByte进行了如下划分：
High Voltage Generators：对于非易失性存储器，想要达到掉电丢失的效果，需要给其一个“刻骨铭心”的刺激，所以这里使用这个高电压生成器对其进行高电压刺激
Page Address Latch：三地址模式，前两个地址放入此锁存器，通过写保护和行解码选择要操作第几页
Byte Address Latch：三地址模式，最后一个字节放入此锁存器，通过列解码和256字节页缓存来进行指定字节的读写操作。这两个锁存器都有一个计数器，每进行依次读写就会+1，用于连续读写。第三个字节放在Byte Address中有2^8能寻址256字节，刚好对应每一页（行）的00h到ffh
256字节页缓存：一个RAM存储器，流程是读写操作——>存入RAM缓存——>再存入对应的Flash中，所以每次的写入内容不能超过256字节，在从RAM存入Flash的过程会比较慢，此期间status register（状态寄存器）会令BUSY位置1，表示繁忙状态，此时将不会再接收新的SPI时序
Flash操作注意
状态寄存器
BUSY：在从RAM存入Flash的过程会比较慢，此期间status register（状态寄存器）会令BUSY位置1，表示繁忙状态，此时将不会再接收新的SPI时序，完成后会被擦除为0.
Write Enable Latch(WEL)：写使能锁存(WEL)是状态寄存器(S1)中的一个只读位，在执行写使能指令后被设置为1。当设备禁止写时，WEL状态位被清除为0。写禁用状态发生在上电或以下任何指令之后:写禁用、页程序、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写状态寄存器。
指令集
不同的读指令得到的结果不一样
指令集配置表
电器特性
对比这些操作的执行时间与单片机的频率来判断是否需要添加延时
原文地址：https://blog.csdn.net/qq_53922901/article/details/137197048
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