【氧化镓】氧化镓SBD器件重离子辐照诱导的SEB机制
一、引言部分
1.1 研究背景
β-氮化镓（β-Ga₂O₃）作为一种新兴的宽带隙半导体材料，近年来在电力电子领域引起了广泛关注。其具有高击穿电场（约8 MV/cm）、高电子饱和速度（约2×10⁷ cm/s）和优异的辐射抗性，使其在航空航天电子系统中具有良好的应用前景。文章指出，尽管β-Ga₂O₃在理论上具有优越的辐射抗性，但在高能粒子辐射环境下，仍然存在可靠性问题。特别是高能重离子辐射引起的单事件烧毁（SEB）效应，可能导致器件在低工作电压下发生灾难性损坏。
1.2 研究目的
本研究的主要目的是系统地研究β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）在205 MeV锗离子辐射下的单事件烧毁机制。通过实验和TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，探讨SEB的阈值电压、敏感烧毁位置及其背后的物理机制。文章强调了对β-Ga₂O₃ SBD在辐射环境下的可靠性评估的重要性，为未来的器件级硬化提供理论和实验依据。
1.3 相关文献回顾
在引言中，作者回顾了相关文献，指出以往的研究主要集中在SiC和GaN等材料的SEB效应上ÿ
原文地址：https://blog.csdn.net/monian000/article/details/143702967
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