高低电平通路分开的MOSFET驱动电路
图1
最近发现了一个有趣的MOSFET驱动电路，如图1所示 ，PWM的输出引脚有两个，一个负责高电平时给充电，一个负责低电平时给
放电，这样可以单独设计MOSFET驱动电路的导通电路和关断电路，降低损耗。高电平通路的栅极串联电阻要比低电平通路的栅极串联电阻大，这是为了防止MOSFET误开通，和MOSFET本身的物理性质有关。
图2
如图2所示，MOSFET的开通和关断是需要一定时间的，在下桥臂关断、上桥臂导通的过程中，两个MOSFET中间的开关点会在短时间内从0上升到Vbus。此时下管MOSFET的寄生电容上的电压也发生变化，这意味着有电流流过下管的
和关断电阻，关断电阻上会产生一个压降，导致下管的
增大，如果其超出MOSFET的阈值电压，那么下管也会导通。
因此为了避免这种情况，首先需要减小关断电阻，这样可以降低电阻上的压降（但是关断电阻过小时，关断过程中的比较大，会产生较大的噪声，也会对电路产生影响），其次要增加导通电阻，这样可以降低MOSFET的导通速度，让电容上的电压变化变慢，流过的电流也会减小。
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